1F-H51S 10/100同側 10.67X13X5.08(H) CASE

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1F-H51S 10/100同側 10.67X13X5.08(H) CASE 技术参数

1F7TA 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R-1（轴向）供应商器件封装:R-1 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1F6TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R-1（轴向）供应商器件封装:R-1 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1F5TA 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R-1（轴向）供应商器件封装:R-1 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1F4TA 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R-1（轴向）供应商器件封装:R-1 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1F3TA 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R-1（轴向）供应商器件封装:R-1 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1G0265-3 1G0617-10 1G0617-20 1G0618-10 1G0618-20 1G0618-6 1G0619-20 1G1304-30 1GA09 1GBE-PCS-O4-N1 1GC09 1GM1000 1GP4001 1GP4004 1GP5005 1GP7001 1GPK1AU09B 1GPK1AU09C