1N2976BJAN

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1N2976BJAN
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2
MSC
-
公司现货!只做原装!

1N2976BJAN
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
sie
标准封装
dc76
-
全新原装100%正品保证质量

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1

您是不是要找： 1N2976RB 1N2977A 1N2977B 1N2977RB 1N2978A 1N2978B 1N2978RB 1N2979A 1N2979B

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制造商
Microwave Semiconductor
功能描述
制造商
MILITARY SPECIFICATIONS P
功能描述

1N2976BJAN 技术参数

1N2976B 功能描述:DIODE ZENER 12V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2976A 功能描述:DIODE ZENER 12V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2975RB 功能描述:DIODE ZENER 11V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2975B 功能描述:DIODE ZENER 11V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2975A 功能描述:DIODE ZENER 11V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N2979RB 1N2980A 1N2980B 1N2980RB 1N2981A 1N2981B 1N2981RB 1N2982A 1N2982B 1N2982RB 1N2983A 1N2983B 1N2983RB 1N2984A 1N2984B 1N2984RB 1N2985A 1N2985B