1N3260R

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N3260R
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
Stud Diode
25+
-
国产品牌，替代进口

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功能描述
RECTIFIER STUD 50V 160A DO-9
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

1N3260R 技术参数

1N3260 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N3214R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5 1N3214 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5 1N3213R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 500V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5 1N3213 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 15A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5 1N3265R 1N3266 1N3266R 1N3267 1N3267R 1N3268 1N3268R 1N3269 1N3269R 1N3270 1N3270R 1N3271 1N3271R 1N3272 1N3272R 1N3273 1N3273R 1N3274