1N3595-1JTX

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1N3595-1JTX
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
4319
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N3595-1JTX
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
4319
MSC
-
公司现货,只做原装！

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1N3595-1JTX 技术参数

1N3595-1 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 电流 - 平均整流（Io）:150mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3595 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1nA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:2,000 1N3534A 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N3533A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N3532A 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N3611GP-M3/54 1N3611GP-M3/73 1N3612 1N3612GP-E3/54 1N3612GP-E3/73 1N3612GPHE3/54 1N3612GPHE3/73 1N3612GP-M3/54 1N3612GP-M3/73 1N3613 1N3613GP-E3/54 1N3613GP-E3/73 1N3613GPHE3/54 1N3613GPHE3/73 1N3613GP-M3/54 1N3613GP-M3/73 1N3614 1N3614GP-M3/54