1N5248B18V

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1N5248B18V/1/2WDO-35
北京京华特科技有限公司
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1N5248B18V 技术参数

1N5248B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5248B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5248B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5248B TR 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5248B BK 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5248C 1N5248C-TAP 1N5248C-TR 1N5248TA 1N5249A 1N5249A (DO-35) 1N5249B 1N5249B (DO-35) 1N5249B A0G 1N5249B BK 1N5249B TR 1N5249B_S00Z 1N5249B_T50A 1N5249B_T50R 1N5249B-T 1N5249BTA 1N5249B-TAP 1N5249B-TP