1N5271BTR

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1N5271BTR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
853240
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深圳市金嘉旭贸易有限公司
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联系人：金
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地址：中航北苑A座7A5
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MOTOROLA
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1N5271BTR 技术参数

1N5271B-TP 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5271BDO35 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5271B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5271A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 72V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5271A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5273A (DO-35) 1N5273B (DO-35) 1N5273B TR 1N5273BDO35 1N5273B-TP 1N5273BUR-1 1N5274A 1N5274A (DO-35) 1N5274B (DO-35) 1N5274BDO35 1N5274BDO35E3 1N5274B-TP 1N5274BUR-1 1N5275A 1N5275A (DO-35) 1N5275B (DO-35) 1N5275BDO35 1N5275B-TP