1N5361A

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1N5361A
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
EIC
标准封装
13+
-

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北京元坤伟业科技有限公司
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功能描述

1N5361A 技术参数

1N5361/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 19.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5361/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 19.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5360E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 25V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:25V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5360E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 25V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:25V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5360E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 25V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:25V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5361BE3/TR13 1N5361BE3/TR8 1N5361BG 1N5361BRL 1N5361BRLG 1N5361B-TP 1N5361C/TR12 1N5361C/TR8 1N5361CE3/TR12 1N5361CE3/TR13 1N5361CE3/TR8 1N5361E3/TR12 1N5361E3/TR13 1N5361E3/TR8 1N5362/TR12 1N5362/TR8 1N5362A/TR12 1N5362A/TR8