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1N5401G-T

配单专家企业名单
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  • 1N5401G-T
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Diodes

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  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

    联系人:

    电话:17876146278

    地址:沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

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  • 1N5401G-T
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 原厂封装

  • 10000

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  • 全新库存现货 电话010-6210493...

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

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  • 标准封装

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  • 功能描述
  • 整流器 3.0A 100V
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
1N5401G-T 技术参数
  • 1N5401GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,200 1N5401GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 1N5401GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5401GHA0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5401G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 1N5402-E3/54 1N5402-E3/73 1N5402G 1N5402-G 1N5402G A0G 1N5402G B0G 1N5402G R0G 1N5402GHA0G 1N5402GHB0G 1N5402GHR0G 1N5402GP-TP 1N5402G-T 1N5402RL 1N5402RLG 1N5402-T 1N5402TA 1N5402T-G 1N5402-TP
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