1N5418JAN

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5418JANTX
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
0
8138
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

1N5418JANTX
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
AKK
22+
-
全新原装现货供应

1N5418JANTX
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1000
MSC
-
公司现货,只做原装！

1/1页 40条/页共9条
1

您是不是要找： 1N5418-TAP 1N5418TR 1N5418US 1N5419 1N5419E3 1N5419US 1N5420 1N5420US 1N5518B

1N5418JAN PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N5418JAN PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述

1N5418JAN 技术参数

1N5418C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:4.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:165pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N5418 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5417US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5417TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 1N5417-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35) 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35)