1N5819W(L4)

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1N5819W(L4)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
3000
KEXIN
SOD123
2024+
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诚诺原装现货

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1N5819W(L4) 技术参数

1N5819UR-1/TR 功能描述:SCHOTTKY 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:490mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:70pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:100 1N5819-TP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5819RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5820HB0G 1N5820HR0G 1N5820RL 1N5820RLG 1N5820-T 1N5820-TP 1N5820US 1N5821 1N5821 A0G 1N5821 B0G 1N5821 R0G 1N5821-B 1N5821-E3/54 1N5821G 1N5821HA0G 1N5821HB0G 1N5821HR0G 1N5821RL