1N6147AJANTXV

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1N6147AJANTXV 技术参数

1N6147A 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.2V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:67.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6147 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6146US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6146AUS 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM 21VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:11.4V 电压 - 击穿（最小值）:14.25V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 1N6146A 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM 21VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:11.4V 电压 - 击穿（最小值）:14.25V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6149US 1N6150 1N6150A 1N6150AUS 1N6150US 1N6151 1N6151A 1N6151AUS 1N6151US 1N6152 1N6152A 1N6152AUS 1N6152US 1N6153 1N6153A 1N6153AUS 1N6153US 1N6154