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1N6468US

配单专家企业名单
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  • 1N6468US
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 6000

  • Microsemi Corporation

  • 标准封装

  • 16+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • 1N6468US
    1N6468US

    1N6468US

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 314

  • Microchip

  • 瑞智芯 只有原装

  • 21+

  • -

  • 1N6468US
    1N6468US

    1N6468US

  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

    联系人：梁

    电话：17876146278

    地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

  • 2500

  • STM

  • VFQFPN48

  • 23+

  • -

  • 全新原装正品*海量现货库存*全网最低

  • 1N6468US
    1N6468US

    1N6468US

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人：张小姐/韩先生

    电话：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

  • -

  • 代理渠道可追溯现货库存F

  • 1N6468US
    1N6468US

    1N6468US

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主营优势

  • 19+

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
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  • 制造商
  • Semtech Corporation
  • 功能描述
  • 500 W UNIPOLAR TVS
1N6468US 技术参数
  • 1N6468 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51.6V 电压 - 击穿（最小值）:54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:35A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:B，轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6467US 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:45A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6467 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:45A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:B，轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6466US 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:63A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6466 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:63A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:B，轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US 1N6475 1N6475US 1N6476 1N6476US 1N6478-E3/96 1N6478-E3/97 1N6478HE3/96 1N6478HE3/97 1N6479-E3/96 1N6479-E3/97 1N6479HE3/96 1N6479HE3/97 1N647UR-1 1N6480-E3/96
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