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1N6485

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  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • 1N6485JAN
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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:陈小姐

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    资质:营业执照

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 3.3V 5% 1.5W 2PIN A - Bulk
1N6485 技术参数
  • 1N6484HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6484HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,500 1N6484-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6484-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6483HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1 1N6506 1N6507 1N6508 1N6509 1N6510 1N6511 1N6536 1N6537 1N6538 1N6539 1N6540 1N6541 1N6542
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