1N6642USJTXV

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1N6642USJTXV
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N6642USJTXV
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
MSC
-
公司现货,只做原装！

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1N6642USJTXV 技术参数

1N6642USE3 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N6642US/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，D 供应商器件封装:D-5D 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N6642US 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，D 供应商器件封装:D-5D 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6642UBCC 1N6642UBCA 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673 1N6673R 1N6674 1N6674R 1N6675 1N6676 1N6677-1