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1PMT5921BT1G

配单专家企业名单
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  • 1PMT5921BT1G
    1PMT5921BT1G

    1PMT5921BT1G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 20000

  • ON

  • 原厂标准封装

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  • 1PMT5921BT1G
    1PMT5921BT1G

    1PMT5921BT1G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 1PMT5921BT1G
    1PMT5921BT1G

    1PMT5921BT1G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 12000

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1PMT5921BT1G
    1PMT5921BT1G

    1PMT5921BT1G

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:13760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 5983

  • ON SEMICONDUCTOR

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  • 1/1页 40条/页 共28条 
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  • 功能描述
  • 稳压二极管 6.8V 3.2W Powermite
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1PMT5921BT1G 技术参数
  • 1PMT5921BT1 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT5921BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5921BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5921B/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5921B/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5922A/TR7 1PMT5922AE3/TR13 1PMT5922AE3/TR7 1PMT5922B/TR13 1PMT5922B/TR7 1PMT5922BE3/TR13 1PMT5922BE3/TR7 1PMT5922BT1 1PMT5922BT1G 1PMT5922BT3 1PMT5922C/TR13 1PMT5922C/TR7 1PMT5922CE3/TR13 1PMT5922CE3/TR7 1PMT5922E3/TR13 1PMT5922E3/TR7 1PMT5923/TR13 1PMT5923/TR7
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