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1SS226,LF

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    1SS226,LF(T

    1SS226,LF(T

  • 广东济德精密电子有限公司
    广东济德精密电子有限公司

    联系人：吴

    电话：18724450645

    地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼

  • 500

  • TOSHIBA

  • NA

  • 25+

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  • 现货！就到京北通宇商城

  • 1SS226,LF(B
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 0

  • TOSHIBA

  • con

  • 24+

  • -

  • 二极管

  • 1SS226,LF(T
    1SS226,LF(T

    1SS226,LF(T

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人：李女士

    电话：1530261991513762584085

    地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 12000

  • TOSHIBA(非存储器)

  • 晶体管

  • 24+

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  • 原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

  • 1SS226,LF(T
    1SS226,LF(T

    1SS226,LF(T

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 9000

  • TOS

  • ORIGONAL

  • 16+

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • 1SS226,LF - Tape and Reel
1SS226,LF 技术参数
  • 1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:1 1SS190TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C（最大） 标准包装:1 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11
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