1SS355TE-17 ROHM PBF CHINA 3K/REEL

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1SS355TE-17 ROHM PBF CHINA 3K/REEL 技术参数

1SS355TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS355 RRG 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 500mV，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1SS352,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76A 供应商器件封装:SC-76-2 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS351-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基 - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:5V 电流 - 最大值:30mA 不同?Vr，F 时的电容:0.9pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 1SS319(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SC-61B 标准包装:1 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F