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1SV282(TPH3,F)

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    1SV282(TPH3,F)

    1SV282(TPH3,F)

  • 广东济德精密电子有限公司
    广东济德精密电子有限公司

    联系人：吴

    电话：18724450645

    地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼

  • 150

  • TOSHIBA

  • NA

  • 23+

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  • 现货！就到京北通宇商城

  • 1SV282(TPH3,F)
    1SV282(TPH3,F)

    1SV282(TPH3,F)

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 3

  • TOSHIBA

  • con

  • 24+

  • -

  • 二极管

  • 1SV282(TPH3,F)
    1SV282(TPH3,F)

    1SV282(TPH3,F)

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人：李女士

    电话：1530261991513762584085

    地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 12000

  • TOSHIBA(非存储器)

  • 变容二极管

  • 24+

  • -

  • 原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

  • 1SV282(TPH3,F)
    1SV282(TPH3,F)

    1SV282(TPH3,F)

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • TOSHIBA

  • SOD723

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

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  • 功能描述
  • 变容二极管 Rs 0.6 Ohm 34V VR 36V VRM 10nA
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Skyworks Solutions, Inc.
  • 电容
  • 5.2 pF
  • 反向电压
  • 10 V
  • 正向连续电流
  • 20 mA
  • 端接类型
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SC-79
  • 封装
  • Reel
1SV282(TPH3,F) 技术参数
  • 1SV281TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 不同?Vr，F 时的电容:8.7pF @ 4V，1MHz 电容比:2 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV281(TPH3,F) 功能描述:DIODE VCO V/UHF 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 不同?Vr，F 时的电容:8.7pF @ 4V，1MHz 电容比:2 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV280,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 10V，1MHz 电容比:2.4 电容比条件:C2/C10 电压 - 峰值反向（最大值）:15V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV279TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 不同?Vr，F 时的电容:6.5pF @ 10V，1MHz 电容比:2.5 电容比条件:C2/C10 电压 - 峰值反向（最大值）:15V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV279,H3F 功能描述:PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR= 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 不同?Vr，F 时的电容:6.5pF @ 10V，1MHz 电容比:2.5 电容比条件:C2/C10 电压 - 峰值反向（最大值）:15V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:4,000 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG
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