23A323F080ED1H1

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制造商
REGAL BELOIT
功能描述
Electrolytic
制造商
Genteq
功能描述

23A323F080ED1H1 技术参数

23A256T-I/ST 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23A256T-I/SN 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23A256-I/ST 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23A256-I/SN 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23A256-I/P 功能描述:静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23A512T-I/ST 23A640-I/P 23A640-I/SN 23A640-I/ST 23A640T-I/SN 23A640T-I/ST 23AR100KLFTR 23AR100LFTR 23AR10KLFTR 23AR1KLFTR 23AR1MEGLFTR 23AR200KLFTR 23AR200LFTR 23AR20KLFTR 23AR2KLFTR 23AR2MEGLFTR 23AR500KLFTR 23AR500LFTR