2DB1188P-13全国供应商【买卖IC网】2DB1188P-13资料|PDF Datasheet|价格 Diodes Incorporated

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2DB1188P-13
现货
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4524
DIODES
SOT89-3L
2215+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

2DB1188P-13
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
9000
DIODES
SOT89-3L
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

2DB1188P-13
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

2DB1188P-13
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
DIODES
SOT89-3
22+
-
全新原装现货供应

2DB1188P-13
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Diodes
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2DB1188P-13
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

2DB1188P-13
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
2500
DIODES INC.
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

1/1页 40条/页共38条
1

您是不是要找： 2DB1188Q-13 2DB1188R-13 2DB1386Q-13 2DB1386R-13 2DB1424R-13 2DB151J 2DB151K 2DB1689-7 2DB1694-7

2DB1188P-13 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2DB1188P-13 PDF下载

功能描述
两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2DB1188P-13 技术参数

2DB1184Q-13 功能描述:TRANS PNP 50V 3A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 2DB1182Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 2DB1132R-13 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DB1132Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DB1132P-13 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DB1697-13 2DB1713-13 2DB1714-13 2DB-52P 2DB-52PA156 2DB-52PA156A183 2DB-52PA183 2DB52PBR 2DB52PBRP 2DB52P-F0 2DB-52PF171 2DB-52PF171F0 2DB-52PF172 2DB-52PF172F0 2DB-52PF173 2DB52P-F173-F0 2DB52PF238B 2DB52S