2N3838

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N3838
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

2N3838
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
6-FlatPack
23+
-
微芯专营优势产品

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1

您是不是要找： 2N3859A 2N3859A_D75Z 2N3866 2N3866A 2N3867 2N3867S 2N3868 2N3868S 2N3879

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN PNP COMPLIMENTARY 6_PIN_FLATPACK LAW - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS NPN/PNP 40V 600MA 6 PFLTPK

2N3838 技术参数

2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/375 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:* 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:* 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/375 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:10mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/375 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:20V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:300μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:32pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N3820 功能描述:JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:20V 漏源电压（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:300mA @ 10V 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:32pF @ 10V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z