2N3866 POL/04 1K/BAG, LEADED

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2N3866 POL/04 1K/BAG, LEADED 技术参数

2N3866 功能描述:TRANS RF NPN 30V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:500MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:5W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N3859A_D75Z 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3859A 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3838 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-扁平封装供应商器件封装:6 扁平封装标准包装:1 2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/375 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:* 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:* 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z 2N3904-AP 2N3904BU 2N3904CBU