2N4118AJFET

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2N4118AJFET 技术参数

2N4118A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:80μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4118A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:80μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4118A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:80μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4117A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4117A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126 2N4126_S00Z