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2N4339-2

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Vishay Siliconix

  • 22+

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  • 原装正品

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  • 1
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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS JFET N-CH 3PIN TO-18 - Bulk
2N4339-2 技术参数
  • 2N4339 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):500μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4338-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):200μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):300mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4338-2 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):200μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):300mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4338 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):200μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):300mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4300 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4368 2N4371 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2 2N4392-E3 2N4392UB 2N4393
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