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2N4861A

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • FREESCALE

  • TO18

  • 05+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2N4861A #T
    2N4861A #T

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • MOT

  • TO-18(CAN

  • 最新批号

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  • 制造商全称
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  • 功能描述
  • N-Channel JFETs
2N4861A 技术参数
  • 2N4860UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4860JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4860JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4860JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4860JAN02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918 2N4918G 2N4919 2N4919G 2N4920G 2N4921 2N4921G
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