2N4861A

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2N4861A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
FREESCALE
TO18
05+
-
假一罚十，百分百原装正品

2N4861A #T
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
MOT
TO-18(CAN
最新批号
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1/1页 40条/页共16条
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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
N-Channel JFETs

2N4861A 技术参数

2N4860UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4860JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4860JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4860JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4860JAN02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918 2N4918G 2N4919 2N4919G 2N4920G 2N4921 2N4921G