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2N5321

配单专家企业名单
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  • 2N5321
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  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

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  • 微芯专营优势产品

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

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    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

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  • CENTRAL SEMICONDUCTOR

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  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人:韩小姐

    电话:13661385246

    地址:北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室,新中发电子市场B1303-b1305柜台

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2N5321 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT TO-39 NPN GEN PUR SS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5321 技术参数
  • 2N5320 功能描述:TRANS NPN 75V 2A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):75V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 500mA,4V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N5308_D75Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.4V @ 200μA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):7000 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5308_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.4V @ 200μA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):7000 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5308_D27Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.4V @ 200μA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):7000 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5308_D26Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.4V @ 200μA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):7000 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5366_D26Z 2N5366_D27Z 2N5366_D75Z 2N5367 2N5375 2N5384 2N5385 2N5400 2N5400_D26Z 2N5400_D27Z 2N5400_D75Z 2N5400_D81Z 2N5400_S00Z 2N5400G 2N5400RA 2N5400RLRP 2N5400RLRPG 2N5401
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