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2N5548

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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2N5548 技术参数
  • 2N5547JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:20 2N5547JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N5547JTX01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N5546JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:20 2N5546JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:TO-71 功率 - 最大值:- 标准包装:20 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TF 2N5550TFR 2N5551 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA 2N5551CYTA 2N5551G 2N5551RL1 2N5551RL1G 2N5551RLRA
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