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2N881

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    2N881

    2N881

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖小姐

    电话：13410012158

    地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 8000

  • AD534CH

  • AD741JH

  • 21+

  • -

  • ALTERA.XILINX代理指定授权分...

  • 2N881
    2N881

    2N881

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人：彭先生

    电话：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9331

  • MOT

  • CAN

  • 12+

  • -

  • 绝对公司原装现货

  • 2N881
    2N881

    2N881

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：周小姐/高先生/曹先生

    电话：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 93930

  • Central Semiconductor

  • TO-18

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • 2N881
    2N881

    2N881

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 10000

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • 2N881 PBFREE
    2N881 PBFREE

    2N881 PBFREE

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 40

  • CENTRAL SEMICONDUCTOR

  • 价格优势

  • 2449

  • -

  • 全新原装渠道现货

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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  • 制造商
  • CENTRAL
  • 制造商全称
  • Central Semiconductor Corp
  • 功能描述
  • 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts
2N881 技术参数
  • 2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）（155°C） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 16A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-276AA 供应商器件封装:TO-276 标准包装:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）（155°C） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 15A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-257-3 供应商器件封装:TO-257 标准包装:10 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）（158°C） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 8A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-276AA 供应商器件封装:TO-276 标准包装:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）（165°C） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 7A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-257-3 供应商器件封装:TO-257 标准包装:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）（165°C） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:415 毫欧 @ 4A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-276AA 供应商器件封装:TO-276 标准包装:10 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES
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