2NBS16G

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说明
操作

2NBS16GLF-1-390LF
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3835
BOURNS
SOP-16
2228+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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2NBS16G 技术参数

2N9C 功能描述:SPIRALWRAP .250''DIAMETER,100FT/ 制造商:hellermanntyton 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 2N930UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N930A 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N930 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18（TO-206AA）标准包装:1 2N918UB 功能描述:TRANS NPN 15V 0.05A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 3mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA 2P02-0200-ES 2P02-0300-DA 2P1216 2P1298 2P1384 2P1419