2SA2124-TD-E全国供应商 2SA2124-TD-E资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

配单专家企业名单

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供应商
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价格
说明
操作

2SA2124-TD-E
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
6500
SANYO
原厂原装
1650+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

2SA2124-TD-E
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SANYO
SOT-89
22+
-
全新原装现货供应

2SA2124-TD-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SOT-89
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SA2124-TD-E
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
16320
ON
SOT-89
23+
-
全新原装现货热卖

2SA2124-TD-E
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
3000
ON/安森美
NA
22+
-
可订货，请确认

2SA2124-TD-E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
105000
ON/安森美
NA
-
105000

2SA2124-TD-E
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

2SA2124-TD-E
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4083
SANYO
SOT-89
2220+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

2SA2124-TD-E
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
5000
ON/安森美
SMD
20+
-
订货中可预订

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功能描述
两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 30V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SA2124-TD-E 技术参数

2SA2124-S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 30V 2A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:440MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SA2119KT146 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A SOT346 SMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:260MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SA2112-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 3A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:390MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA2099 功能描述:TRANS PNP 50V 10A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SA2094TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SA2127 2SA2127-AE 2SA21400P 2SA21400Q 2SA2151 2SA2151A 2SA2153-TD-E 2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-Y(TPL3) 2SA2154MFV-GR(TPL3 2SA2161G0L 2SA2161J0L 2SA216200L 2SA2162G0L 2SA216300A 2SA216400L 2SA2169-E 2SA2169-TL-E