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说明
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2SA876H-B
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
100
HITACH
DIP
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

2SA876(H)-(B)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
HITACHI
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

2SA876
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13510
HIT
TO-18
2024+
-
绝对现货

2SA876
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NEC
CAN
专营铁帽，价格绝对优
-
假一罚十，百分百原装正品

2SA876
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
NEC
CAN
15+
-
原装正品，假一罚十

2SA876H-B
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
HITACH
DIP
1996
-
假一罚十，百分百原装正品

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1

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2SA876 技术参数

2SA854STPR 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 成形引线供应商器件封装:SPT 标准包装:5,000 2SA854STPQ 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 成形引线供应商器件封装:SPT 标准包装:5,000 2SA733P_D26Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2SA733P 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2SA608NG-NPA-AT 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A NPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:280 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-226AA 标准包装:1,500 2SA949-Y,F(J 2SA949-Y,ONK-1F(J 2SA949-Y,ONK-1F(M 2SA965-O(TE6,F,M) 2SA965-O,F(J 2SA965-Y(F,M) 2SA965-Y(T6CANO,FM 2SA965-Y,F(J 2SA965-Y,SWFF(M 2SA965-Y,T6F(J 2SA965-Y,T6KOJPF(J 2SAR293P5T100 2SAR293PFRAT100 2SAR293PT100 2SAR340PT100P 2SAR340PT100Q 2SAR502EBTL 2SAR502UBTL

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