2SB1115-T1B(YL)

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SB1115-T1B(YL)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
25000
NEC
SOT89
2024+
-
代理原装现货假一赔十

2SB1115-T1B(YL)
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
NEC
SOT-89
22+
-
全新原装现货供应

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 2SB1121S-TD-E 2SB1121T-TD-E 2SB1122S-TD-E 2SB1122T-TD-E 2SB1123S-TD-E 2SB1123T-TD-E 2SB1124S-TD-E 2SB1124S-TD-H 2SB1124T-TD-E

2SB1115-T1B(YL) PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SB1115-T1B(YL) 技术参数

2SB10730RL 功能描述:TRANS PNP 20V 4A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2A，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SB10630P 功能描述:TRANS PNP 100V 5A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-A1 标准包装:100 2SB10540P 功能描述:TRANS PNP 100V 5A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:3W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TOP-3F 供应商器件封装:TOP-3F-A1 标准包装:40 2SB1030ARA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:NS-B1 供应商器件封装:NS-B1 标准包装:1 2SB1030A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:85 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:NS-B1 供应商器件封装:NS-B1 标准包装:1 2SB1124T-TD-H 2SB1132T100P 2SB1132T100Q 2SB1132T100R 2SB1143S 2SB1143T 2SB11540Q 2SB11560P 2SB1181TLP 2SB1181TLQ 2SB1181TLR 2SB1182TLQ 2SB1182TLR 2SB1183TL 2SB1184TLP 2SB1184TLQ 2SB1184TLR 2SB1186AE