2SB892/A1020/A928/C2383/C2655

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2SB892/A1020/A928/C2383/C2655 技术参数

2SB852KT146B 功能描述:TRANS PNP DARL 32V 0.3A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400μA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SB817C-1E 功能描述:TRANS PNP 140V 12A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:120W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SB815-7-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SB815-6-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SB772 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 150mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:12.5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 2SC0435T2F1-17 2SC0435T2G1-17 2SC0435T2H0-17 2SC0535T2A1-33 2SC0535T2G0-33 2SC055045-127-63L 2SC0635T2A1-45 2SC0650P2A0-17 2SC0650P2C0-17 2SC085065-127-70L 2SC13180RA 2SC1318ARA 2SC13830R 2SC13830S 2SC13840Q 2SC13840R 2SC13840S 2SC14730RA