配单专家企业名单

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说明
操作

2SB913
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
20000
SANYO
Standard
2024+
-
代理商库房现货

2SB913
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
SANYO
TO-3P
15+
-
原装正品，假一罚十

2SB913
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SANYO
NULL
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SB913
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3PN
25+
-
国产品牌，替代进口

2SB913
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8900
SANYO
TO-3P
10+
-
绝对公司原装现货

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制造商
Distributed By MCM
功能描述
SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-3PB -110V -8A 60W BCE

2SB913 技术参数

2SB906-Y(TE16L1,NQ 功能描述:TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:9MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:1 2SB852KT146B 功能描述:TRANS PNP DARL 32V 0.3A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400μA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SB817C-1E 功能描述:TRANS PNP 140V 12A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:120W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SB815-7-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SB815-6-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SC0435T2G1-17 2SC0435T2H0-17 2SC0535T2A1-33 2SC0535T2G0-33 2SC055045-127-63L 2SC0635T2A1-45 2SC0650P2A0-17 2SC0650P2C0-17 2SC085065-127-70L 2SC13180RA 2SC1318ARA 2SC13830R 2SC13830S 2SC13840Q 2SC13840R 2SC13840S 2SC14730RA 2SC15090R

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