2SC4226-T1-A-R24/R25

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2SC4226-T1-A-R24/R25
北京首天伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
MAXIM
DIP
15+
-
原装正品，假一罚十

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2SC4226-T1-A-R24/R25 技术参数

2SC4226-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 2SC4226-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 2SC4215-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 30V 550MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:550MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 5dB @ 100MHz 增益:17dB ~ 23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC4215-O(TE85L,F) 功能描述:RF TRANS NPN 30V 20MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:550MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC4213BTE85LF 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:350 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC4381 2SC4382 2SC4388 2SC43910RA 2SC441000L 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN 2SC4488S-AN 2SC4488T-AN