2SD1066,2SD1034A,2SD2425/AB2

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2SD1066,2SD1034A,2SD2425/AB2 技术参数

2SD1060S-JKH-1E 功能描述:TRANS NPN 5A 50V 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060S-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060S-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060R-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060R-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1207T-AE 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P