配单专家企业名单

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说明
操作

2SJ125-T12-1D(JD)
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
AD580MH
AD7549AD
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授权分...

2SJ125-T12-1D
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
MITSUMI
11PBF
23+
-
全新原装正品现货热卖

2SJ125-T12-1D(JD)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
18000
MITSUMI
SOT23
2024+
-
诚诺原装现货

2SJ125-C
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
MITSUBISHI
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SJ125-T112-1E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MITSUBISHI
原厂封装
04+
-

2SJ125-T112-1E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MITSUBISHI
原厂封装
04+
-
全新原装100%正品保证质量

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1

您是不是要找： 2SJ162-E 2SJ168TE85LF 2SJ304(F) 2SJ305TE85LF 2SJ360(F) 2SJ360(TE12L,F) 2SJ377(TE16R1,NQ) 2SJ380(F) 2SJ438(AISIN,A,Q)

2SJ125- PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SJ125- 技术参数

2SJ0674G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 标准包装:1 2SJ067400L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标准包装:1 2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 20V 功率 - 最大值:10W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:U-G2 标准包装:1 2SJ0536G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 欧姆 @ 10mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SJ053600L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 欧姆 @ 10mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SJ438(AISIN,Q,M) 2SJ438(CANO,A,Q) 2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E