配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

2SK2561-01R
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
FUJITSU/富士通
TO-3PF
22+
-
十年配单，只做原装

2SK2561-01R
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
FUJI原装正品
TO-3PF
23+
-
全新原装正品现货热卖

2SK2561-01R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
FUJI
TO3PF
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

2SK2561-01R
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SK2561-01R
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
富士
TO-3P
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK2561-01R
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
9800
T
TO
2015+
-
公司现货!只做原装!

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1

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制造商
FUJI
制造商全称
Fuji Electric
功能描述
N-channel MOS-FET

2SK2561-01R 技术参数

2SK2544(F) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2SK2507(F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SK2504TL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:520pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK2503TL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:135 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:520pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK2463T100 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M)

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