配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK2688-01L,S
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
FUJITSU/富士通
TO-262263
22+
-
十年配单，只做原装

2SK2688-01LS
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

2SK2688-01LS
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

2SK2688-01L,S
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
富士
TO-262/263
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK2688-01LS
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
17895
FUJI
TO-251/252
2024+
-
代理商库房现货

2SK2688-01L,S
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
富士通FUJITSU
TO-262263
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

2SK2688-01L,S
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
T-PACK
FUJI
17+
-
原装正品。优势供应

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您是不是要找： 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803

2SK2688-01L PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK2688-01L 技术参数

2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.3A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.8A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 标准包装:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 标准包装:1 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M