配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK2901-01S-TE24R
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
1132
FUJIELEC
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

2SK2901-01S
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
FUJI
SOT-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK2901-01S-TE24R
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8277481983249326
地址：销售一部：华强北上步工业区501栋401室销售二部：深圳市福田区红荔路上航大厦411室
资质：营业执照
18530
FHJI
00+
20+
-
公司常备大量原装现货，价优！

2SK2901-01S
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
F
TO263
22+
-
全新原装现货供应

2SK2901-01S
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
FUJU
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SK2901-01S-TE24R
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9866
FHJI
00+
TO263
-
绝对公司原装现货

2SK2901-01S-TE24R
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
FUJ富士通
SOT-263
0+
-
全新原装100%正品保证质量

2SK2901-01S
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
T-pack(S)/TO-263
FUJI
17+
-
原装正品。优势供应

2SK2901-01S-TE24R
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
2000
FHJI
TO263
2012+
-
只做原装正品

1/1页 40条/页共30条
1

您是不是要找： 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M

2SK2901-01S PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK2901-01S 技术参数

2SK2887TL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK2883(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:750pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-220SM 标准包装:1,000 2SK2866(F) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2SK2854(TE12L,F) 功能描述:MOSFET RF N CH 10V 500MA 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:849MHz 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:23dBmW 电压 - 额定:10V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PW-MINI 标准包装:1 2SK2848 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1,000 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M 2SK2963(TE12L,F) 2SK2967(F) 2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989(TPE6,F,M) 2SK2989,F(J 2SK2989,T6F(J 2SK2993(TE24L,Q) 2SK2995(F) 2SK3003 2SK3004 2SK3018T106 2SK3018-TP 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L