2SK303-5

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2SK303-5
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
18700
SANYO
SOT-23
18+
-
专注品牌长期供应

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | TO-236AB

2SK303-5 技术参数

2SK303100L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A UG-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:135 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:U-G1 供应商器件封装:U-G1 标准包装:1 2SK303000L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A UG-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 10V 功率 - 最大值:15W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:U-G1 供应商器件封装:U-G1 标准包装:1 2SK302500L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 10V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:U-G2 供应商器件封装:U-DL 标准包装:1 2SK302200L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:220pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:U-G2 标准包装:1 2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-523 封装/外壳:SOT-523 标准包装:1 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F