2SK33720UL全国供应商【买卖IC网】2SK33720UL资料|PDF Datasheet|价格 Panasonic

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说明
操作

2SK33720UL
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
30000
TOSHIBA
SOD423
18+
-
低价大批量供应

2SK33720UL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SOT-423
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK33720UL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
Panasonic
原厂封装
07＋
-

2SK33720UL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

2SK33720UL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
45775
PANASONIC
1521+
-
全新原装现货

2SK33720UL
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
10000
PANASONIC
SOT-423
2012+
-
只做原装正品

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功能描述
JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应
系列
-
标准包装
8,000
系列
-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
1.2mA @ 10V
漏极至源极电压(Vdss)
30V
漏极电流 (Id) - 最大
10mA
FET 型
N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
-
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
180mV @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds
4pF @ 10V
电阻 - RDS（开）
200 欧姆
安装类型
表面贴装
包装
带卷 (TR)
封装/外壳
3-XFDFN
供应商设备封装
3-ECSP1006
功率 - 最大
100mW

2SK33720UL 技术参数

2SK33720TL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:107μA @ 2V 漏极电流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK33720SL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:107μA @ 2V 漏极电流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK33720RL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:107μA @ 2V 漏极电流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3342(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:2,000 2SK3320-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:USV 功率 - 最大值:200mW 标准包装:1 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L

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