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2SK3565(STA4,Q,M)
优势
深圳市远晨电子有限公司
深圳市远晨电子有限公司
联系人：周小姐/詹小姐
电话：0755-839722581341006000718138206816
地址：深圳市福田区振兴西路101号华匀大厦1栋401室
资质：营业执照
90
TOSHIBA
19+
-
主营原装正品代理现货库存大量长期供应83...

2SK3565(STA4,Q,M
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SK3565(STA4,Q,M
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SK3565(STA4,Q,M)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
853240
TOSHIBA
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

2SK3565(STA4,Q,M)
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
12000
TOSHIBA(非存储器)
晶体管
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

2SK3565(STA4,Q,M)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2400
TOSHIBA
-
公司现货!只做原装!

2SK3565(STA4,Q,M)
东莞鼎岑科技有限公司
东莞鼎岑科技有限公司
联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
5138
TOSHIBA
TO-220
21+
-

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1

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功能描述
MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

2SK3565(STA4,Q,M 技术参数

2SK3565(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1150pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:200mW 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3547G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 标准包装:1 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E

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