配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK4067-TL-E
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
S
SOT-252
22+
-
十年配单，只做原装

2SK4067
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-251/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

2SK4067NTLE
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

2SK4067-TL-E
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
15000
SANYO
SOT-252
12+
-
绝对公司原装现货

2SK4067-TL-E
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
15000
SANYO
SOT-252
2012+
-
只做原装正品

2SK4067-TL-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
75000
SANYO
SOT-252
15+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
General-Purpose Switching Device Applications

2SK4067 技术参数

2SK4066-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A SMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装:SMP 标准包装:100 2SK4066-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:SMP-FD 标准包装:1,000 2SK4066-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12500pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta），90W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263-2 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:800 2SK4066-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263-2 标准包装:800 2SK4066-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:TO-262-3 标准包装:50 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS 2SK4124 2SK4124-1E 2SK4125 2SK4125-1E 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E