配单专家企业名单

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2SK680-T1
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8277481983249326
地址：销售一部：华强北上步工业区501栋401室销售二部：深圳市福田区红荔路上航大厦411室
资质：营业执照
18530
SANYO
SOT89
20+
-
公司常备大量原装现货，价优！

2SK680-T1
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
15549
NEC
SOT-89
18+
-
专注品牌长期供应

2SK680-T1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NEC
Sot-89
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK680-T1
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9866
SANYO
SOT89
99+
-
绝对公司原装现货

2SK680-T1/YA
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NEC
SOT-89
2011
-
假一罚十，百分百原装正品

2SK680-T1
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
4000
NEC
SOT89
2012+
-
只做原装正品

2SK680-T1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
20000
NEC
SOT89
2002
-
全新原装现货

2SK680-T1/YA
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3369
NEC
SOT-89
2211+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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2SK680-T1 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK680-T1 技术参数

2SK669-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 欧姆 @ 10mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:210μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:150μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1.7pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01

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