配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK686
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
25000
SAY
TO-220
2024+
-
顶级代理原装现货假一赔十

2SK686
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
三极管系列
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

2SK686
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
SANYO/三洋
220
22+
-
十年配单，只做原装

2SK686
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
三洋
TO-22O
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK686
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
3
TAIWAN
TO-220
2012+
-
只做原装正品

2SK686
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4810
三洋
TO-220
13+
-
原装正品现货库存

2SK686
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
7000
T
TO-220
2015+
-
公司现货!只做原装!

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制造商
Sony Batteries
功能描述
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220

2SK686 技术参数

2SK669-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 欧姆 @ 10mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:210μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:150μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1.7pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01

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