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2N6286

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  • 功能描述
  • 达林顿晶体管 20A 80V Bipolar
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶体管极性
  • NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 最大直流电集电极电流
  • 0.5 A
  • 最大集电极截止电流
  • 功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-18
  • 封装
  • Reel
2N6286 技术参数
  • 2N6284G 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 20A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 10A，3V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N6284 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6281 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6280 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6279 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6299 2N6300 2N6301 2N6306 2N6308 2N6315 2N6316 2N6317 2N6329 2N6330 2N6338 2N6338G 2N6339 2N6340 2N6341 2N6341G 2N6344AG 2N6344G
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