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2N6338

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  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT 25A 100V 200W NPN
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2N6338 技术参数
  • 2N6330 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6329 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6317 功能描述:TRANS PNP 60V 7A TO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.75A，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 2.5A，4V 功率 - 最大值:90W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-213AA，TO-66-2 供应商器件封装:* 标准包装:1 2N6316 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6315 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6350 2N6352 2N6353 2N6377 2N6383 2N6384 2N6387 2N6387G 2N6388 2N6388G 2N6394 2N6394G 2N6394TG 2N6395G 2N6397G 2N6397TG 2N6399G 2N6399TG
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