2N6344

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功能描述
双向可控硅 THY 8A 600V TRIAC
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
开启状态 RMS 电流 (It RMS)
16 A
不重复通态电流
120 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
开启状态电压
保持电流（Ih 最大值）
45 mA
栅触发电压 (Vgt)
1.3 V
栅触发电流 (Igt)
1.75 mA
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB

2N6344 技术参数

2N6341G 功能描述:TRANS NPN 150V 25A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 2.5A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10A，2V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N6341 功能描述:TRANS NPN 150V 25A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 2.5A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10A，2V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N6340 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6339 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6338G 功能描述:TRANS NPN 100V 25A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 2.5A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10A，2V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N6384 2N6387 2N6387G 2N6388 2N6388G 2N6394 2N6394G 2N6394TG 2N6395G 2N6397G 2N6397TG 2N6399G 2N6399TG 2N6400 2N6400G 2N6401 2N6401G 2N6402G