2N684

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功能描述
SCR PHASE CONT 150V 25A TO-48
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> SCR - 单个
系列
-
其它有关文件
X00619 View All Specifications
产品目录绘图
SCR TO-92 Package
标准包装
1
系列
-
SCR 型
灵敏栅极
电压 - 断路
600V
电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）
800mV
电压 - 导通状态 (Vtm)（最大）
1.35V
电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）
500mA
电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）
800mA
电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）
200µA
电流 - 维持(Ih)
5mA
电流 - 断开状态（最大）
1µA
电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)
9A，10A
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装
TO-92-3
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1554 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-9067-1

2N684 技术参数

2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-204AA（TO-3）标准包装:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘供应商器件封装:18-ULCC（9.14x7.49）标准包装:1 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6800U 功能描述:MOSFET N-CH 400V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘供应商器件封装:18-ULCC（9.14x7.49）标准包装:1 2N6800 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AF 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G